1. sayfa (Toplam 1 sayfa)

Üç esc arasından hangisini almalıyım?

Gönderilme zamanı: 25 May 2018, 22:48
gönderen EsEr

Re: Üç esc arasından hangisini almalıyım?

Gönderilme zamanı: 25 May 2018, 23:56
gönderen BarisB
Selamlar,

Eski versiyondan, güncele doğru sıralamışsınız. Kesinlikle v2 olanı öneririm size. Çünkü banggood v2 olanları çok daha kaliteli üretim yapan bir imalatçıya ürettirildi. İlk ikisi ise çok güvenilir esc'ler değiller.

Re: Üç esc arasından hangisini almalıyım?

Gönderilme zamanı: 26 May 2018, 05:33
gönderen Gökhan Bora
Ikinci yazdiginiz esc bb1 kontrolculu. Bu yuzden dshot600 desteklemiyor. Ek olarak, ikinci yazdiginiz escde 0'dan fullthrottle yapinca senkronizasyon problemi olusuyor.

Ilk yazdiginiz esc'yi kendim kullandim ve bircok kisiye onerdim. Bunun sebebi piyasadaki en ucuz dshot 600 destekli 20 amper esc olmasiydi. Ama banggood bu urunu gectigimiz haftaya kadar 25 liradan satıyorken simdi 45 lira yapmis. Durum boyle olunca hicbir sebep kalmiyor almak icin.

Re: Üç esc arasından hangisini almalıyım?

Gönderilme zamanı: 26 May 2018, 16:19
gönderen Gökhan Bora
Aşağıdaki ilk fotoğraf 20A Lites olan esc'nin fotoğrafıdır. İkinci fotoğraf ise 30A V2 esc'nin fotoğrafıdır. Elimde 20A V2 olmadığı için 30a olanı yükledim. Ama 30a v2 ile 20a v2 aynı mosfetleri kullanıyor. 30a olanda faz başına 3, 20a olanda faz başına 2 mosfet kullanılmış. Yani aşağıda 30a v2 için yüklenmiş olan fotoğraftaki mosfet sayılarını 3 azalttığınızda v2'deki mosfet sayısıyla aynı oluyor.
P1010722.JPG
P1010778.JPG
İlkinde kullanılan mosfetlerin dökümantasyonu: https://toshiba.semicon-storage.com/inf ... TPCA8059-H
V2 olanda kullanılan mosfetlerin dökümantasyonu: http://www.vishay.com/docs/63583/sis476dn.pdf

Her iki esc'de de aynı sayıda mosfet kullanılmış. Her bir esc'de her bir faz için 2 mosfet paralel olarak kullanılmış.
Lites olanda toshiba mosfetler kullanılmış. Bu mosfetlerin dökümantasyonuna baktığımızda:
Id (Drain Akımı, sürekli akım): 32 amper.
Idp (Drain Akımı, anlık akım): 96 amper.
Rds (Drain-source direnci): 3.8 mOhm (tipik)
Power dissipation: 45 watt

V2 olanda vishay siliconix'in ürettiği mosfetler kullanılmış:
Id (Drain Akımı, sürekli akım): 40 amper.
Idp (Drain Akımı, anlık akım): 80 amper.
Rds (Drain-source direnci): 2 mOhm (tipik)
Power dissipation: 52 watt

Şimdi her iki mosfeti kıyaslayalım:
Toshiba mosfetin tek artı yönü anlık akımın yüksek olması. Vishay mosfetin iki önemli artısı var. İlki Rds değerinin düşük olması. İkincisi ise sürekli akımın diğerine göre %20 daha fazla olması. Rds değeri ne kadar düşük olursa mosfet o kadar az ısınır. Az ısınan mosfetler daha yüksek akıma dayanabilir. Her iki mosfet dökümanında da görebileceğiniz gibi mosfet sıcaklıkları arttıkça kaldırabilecekleri akım düşmektedir.

Şimdi haklı olarak aklınıza şu soru gelmiş olabilir: "Her bir faz için 2 adet mosfet kullanılmış. Yani dökümantasyonundakinden iki kat fazla akım geçirebilirler. Örneğin bu mantığa göre toshiba olan mosfet, üzerinden 64 amper akım geçirebilir. Madem böyle, ne diye buna 64 amper değil de 20 amper esc diyoruz?".
Sebebi şu: Bu akım değerleri yanlarında yazan sıcaklık değerine kadar verebilecekleri akım değerleridir. Bu mosfetlerden birini 25 derecede tutmayı başarabilirseniz 32 amper akım geçirebilirler. Bunun için de bu mosfetlerin üstüne bayağı büyük bir soğutucu takmak lazım. Bu durum hava araçları için hiç uygun olmayacağı için, mosfetlerin ısınmayacağı kadar akım bulunur ve bu değer esc'nin isimlendirmesinde kullanılır.

Uzun lafın kısası: her ikisi de gayet iyi escler'dir. Ancak v2 olanın dayanıklılığı biraz daha yüksektir.
Ekleme: v2 olanın güç girişinde 5 tane kapasitör varken lites olanda 2 tane vardır.